B1H: MOSFET canal P de potencia con baja RDS(on) y alta capacidad de corriente
El B1H es un transistor MOSFET de canal P diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia, control de carga y protección electrónica. Fabricado por YFWDiode, este dispositivo ofrece una resistencia de conducción baja (RDS(on) aproximada de 35 mΩ) y una capacidad de corriente continua de hasta 4.2 A, lo que lo hace adecuado para fuentes de alimentación, convertidores DC-DC y controladores de batería.
Opera con una tensión de drenaje-fuente de hasta −30 V, y presenta características de conmutación rápida, baja carga de compuerta y buena disipación térmica. Su comportamiento es funcionalmente equivalente al AO3401, lo que permite reemplazo directo en diseños compatibles.
Nota: Para conocer el pinout, curvas de conmutación y detalles de conexión, te recomiendo revisar el datasheet completo.
Enlace al datasheet
Consulta el datasheet completo en: datasheet.com – B1H
